Comparative Study of Analog Parameters for Various Silicon-Based Tunnel Field-Effect Transistors

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标题	Comparative Study of Analog Parameters for Various Silicon-Based Tunnel Field-Effect Transistors 不同硅基隧道场效应晶体管模拟参数的比较研究相关领域材料科学场效应晶体管硅晶体管工程物理光电子学电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-022-01674-y
DOI	10.1007/s12633-022-01674-y doi
其它	期刊：Silicon 作者：Alluru Sreevani; Sandip Swarnakar; Sabbi Vamshi Krishna 出版日期：2022-02-01
求助人	jeffrey 在 2025-08-30 18:30:42 发布自江西，悬赏 10 积分
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