Demonstration of Normally-OFF recessed MIS-Gate technique on AlGaN/GaN HEMT for improved power dissipation

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标题	Demonstration of Normally-OFF recessed MIS-Gate technique on AlGaN/GaN HEMT for improved power dissipation 用于改善功耗的AlGaN/GaN HEMT上的常关凹陷MIS栅极技术演示相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学钝化击穿电压阈值电压晶体管氮化镓电压异质结消散电气工程纳米技术图层（电子）工程类物理热力学
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2022.10.119
DOI	10.1016/j.matpr.2022.10.119 doi
求助人	Yunpeng 在 2025-07-31 15:41:10 发布自北京，悬赏 10 积分
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