| 标题 |
 Demonstration of Normally-OFF recessed MIS-Gate technique on AlGaN/GaN HEMT for improved power dissipation 用于改善功耗的AlGaN/GaN HEMT上的常关凹陷MIS栅极技术演示
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
钝化
击穿电压
阈值电压
晶体管
氮化镓
电压
异质结
消散
电气工程
纳米技术
图层（电子）
工程类
物理
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Copyright
无极微光
个性的紫菜
Nexus
东风
Twonej
Starwalker
Mxxxc
sagitar
带头大哥
挖掘机
畔畔
殷勤的紫槐
科研狗
DKJ
初景
车车
祝我有座钻石山
含糊的寻雪
皖公网安备34019202002308
