Write once read many times resistance switching memory based on all-inorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot

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标题	Write once read many times resistance switching memory based on all-inorganic perovskite CsPbBr3 quantum dot
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092534671...
DOI	10.1016/j.optmat.2019.01.069 doi
其它	期刊：Optical materials (Amsterdam) 作者：Zhiliang Chen; Yating Zhang; Yu Yu; Yongli Che; Lufan Jin; et al 出版日期：2019-04-01
求助人	北笙在 2026-07-17 15:04:59 发布自重庆，悬赏 10 积分
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