A High‐Entropy‐Oxides‐Based Memristor: Outstanding Resistive Switching Performance and Mechanisms in Atomic Structural Evolution

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标题	A High‐Entropy‐Oxides‐Based Memristor: Outstanding Resistive Switching Performance and Mechanisms in Atomic Structural Evolution
网址	https://doi.org/10.1002/adma.202302979
DOI	10.1002/adma.202302979 doi
其它	期刊：Advanced Materials 作者：Jing‐Yuan Tsai; Jui‐Yuan Chen; Chun‐Wei Huang; Hung‐Yang Lo; Wei‐En Ke; et al 出版日期：2023-06-28
求助人	wjw 在 2026-07-08 17:26:40 发布自浙江，悬赏 10 积分
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