| 标题 |
Difference Between Atomic Layer Deposition TiAl and Physical Vapor Deposition TiAl in Threshold Voltage Tuning for Metal Gated NMOSFETs 相关领域
原子层沉积
材料科学
物理气相沉积
图层(电子)
沉积(地质)
电极
化学气相沉积
符号
金属
气相沉积
金属浇口
薄膜
电压
复合材料
冶金
光电子学
纳米技术
物理
晶体管
数学
算术
栅氧化层
量子力学
生物
古生物学
沉积物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zhao-Yang Li; Xuejiao Wang; Han-Lun Cai; Zhao-Zhang Yan; Yu-Long Jiang; et al 出版日期:2021-11-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)