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 Roles of Al-vacancy complexes on the luminescence spectra of low dislocation density Si-doped AlN grown by halide vapor phase epitaxy 卤化物气相外延生长低位错密度掺硅AlN发光光谱中铝空位络合物的作用
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shigefusa F. Chichibu; K Kikuchi; Baxter Moody; Seiji Mita; Ramón Collazo; et al 出版日期：2025-03-01 |
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