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 Scandium Nitride as a Gateway III‐Nitride Semiconductor for both Excitatory and Inhibitory Optoelectronic Artificial Synaptic Devices 氮化钪作为兴奋性和抑制性光电人工突触装置的网关III-氮化物半导体
相关领域
材料科学
抑制性突触后电位
兴奋性突触后电位
光电子学
氮化物
钪
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期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Dheemahi Rao; Ashalatha Indiradevi Kamalasanan Pillai; Magnus Garbrecht; Bivas Saha 出版日期：2022-12-23 |
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