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Analytical Study on a 700 V Triple RESURF LDMOS With a Variable High-K Dielectric Trench 700 V可变高K介质沟槽三重RESURF LDMOS的分析研究
相关领域
LDMOS
电介质
击穿电压
沟槽
材料科学
电场
兴奋剂
功勋
基质(水族馆)
电气工程
光电子学
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物理
图层(电子)
电压
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工程类
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量子力学
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Zhen Cao; Qian Wang; Licheng Jiao 出版日期:2021-05-10 |
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