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 Effect of AlGaN insertion layer in barriers on the optoelectronic characteristics of red light-emitting InGaN/GaN multi-quantum wells 相关领域
材料科学
光电子学
发光
图层（电子）
波长
外延
量子阱
活动层
强度（物理）
光学
极化（电化学）
阻挡层
量子效率
发光二极管
分子束外延
宽禁带半导体
光致发光
半导体
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期刊：Optics Communications 作者：Wei Liu; Chengrui Yan; Di Wang; Zheng Liu; Bohan Shi; et al 出版日期：2026-02-07 |
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