| 标题 |
 Influencing Factors and Mechanisms of Single-Event Burnout in STP SiC MOSFETs 相关领域
材料科学
击穿电压
光电子学
耗尽区
碳化硅
沟槽
晶体管
电压
电气工程
雪崩击穿
双极结晶体管
MOSFET
功率MOSFET
凝聚态物理
电子
工程物理
功率半导体器件
雪崩二极管
高压
格子（音乐）
场效应晶体管
阈值电压
结温
高能粒子
粒子（生态学）
寄生元件
随时间变化的栅氧化层击穿
半导体器件
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Ying Yang; Xulong Wang; Chen Wang; Zixuan Liu 出版日期：2025-08-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
null
酸味yjm
DW
v0id
kaio_escolar
花开富贵
极限001
invisight
maxiaole
GingerF
zhixiang
呆萌的xue
xing_xing
mmmm
于林凯
Elsevier大王
舒适的如萱
aaaa
eni233
皖公网安备34019202002308
