Undoped β-Ga2O3 layer thickness effect on performance of MOSFETs grown on sapphire substrate

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标题	Undoped β-Ga2O3 layer thickness effect on performance of MOSFETs grown on sapphire substrate 未掺杂β-Ga2O3层厚度对蓝宝石衬底MOSFET性能的影响相关领域材料科学蓝宝石光电子学图层（电子）基质（水族馆） MOSFET 工程物理电气工程复合材料光学晶体管电压工程类物理地质学激光器海洋学
网址	https://doi.org/10.1117/12.3012736
DOI	10.1117/12.3012736 doi
其它	期刊：作者：Ray‐Hua Horng; Chan-Hung Lu; Fu‐Gow Tarntair 出版日期：2024-03-15
求助人	LY 在 2025-05-31 10:36:29 发布自福建，悬赏 20 积分
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