| 标题 |
 Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy intensity modeling of SiNx ultrathin layer grown on Si (100) and Si (111) substrates by N2 plasma treatment 相关领域
X射线光电子能谱
等离子体
图层（电子）
强度（物理）
材料科学
分析化学（期刊）
光谱学
化学
纳米技术
光学
核磁共振
物理
色谱法
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Thin Solid Films 作者：Hiba Beji; Valentin Develay; Guillaume Monier; L. Bideux; Philip E. Hoggan; et al 出版日期：2024-05-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
Kao
Nole
GingerF
Criminology34
cdercder
柏柏
OK
VDC
丰富的草莓
小透明
Puan
Feng
yjh123
无极微光
ZhaohuaXie
Hayat
嘻嘻哈哈
MchemG
潇洒的惋清
皖公网安备34019202002308
