Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy - 科研通

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标题	Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy 相关领域材料科学缓冲器（光纤）分子束外延光电子学图层（电子）薄膜晶体管制作薄膜场效应晶体管晶体管电子迁移率阈值电压等离子体活动层场效应 Crystal（编程语言）外延单晶
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.07.086
DOI	10.1016/j.apsusc.2011.07.086 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Haiqin Huang; F.J. Liu; Jian Sun; Jianwei Zhao; Zhifeng Hu; et al 出版日期：2011-07-26
求助人	伶俐的玫瑰在 2025-11-26 17:43:45 发布自陕西，悬赏 10 积分
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