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 Effect of MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin film transistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy 相关领域
材料科学
缓冲器（光纤）
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光电子学
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薄膜晶体管
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薄膜
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期刊：Applied Surface Science 作者：Haiqin Huang; F.J. Liu; Jian Sun; Jianwei Zhao; Zhifeng Hu; et al 出版日期：2011-07-26 |
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