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  Al–O–Al defect complexes as possible candidates for channel electron mobility reducing trapping centers in 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors Al-O-Al缺陷配合物作为4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管沟道电子迁移率降低俘获中心的可能候选物
相关领域
俘获
材料科学
半导体
金属
电子迁移率
宽禁带半导体
场效应晶体管
氧化物
电子
晶体管
光电子学
凝聚态物理
冶金
物理
生态学
电压
生物
量子力学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Neil Smith; Judith Berens; Gregor Pobegen; Tibor Grasser; Alexander L. Shluger 出版日期：2024-08-26 |
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