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  Temperature Dependent Electrical Properties of N-Type 4H-SiC Substrates N型4H-SiC衬底的温度相关电学性能
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期刊：Materials Science Forum 作者：Daniel J. Lichtenwalner; Jae Hyung Park; Stanley Rogers; Hemant Dixit; Andreas Scholtze; et al 出版日期：2023-05-26 |
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