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[高分]
 Novel Tunneling Field-Effect Transistor with Sigma-Shape Embedded SiGe Sources and Recessed Channel 具有σ形嵌入SiGe源极和凹沟道的新型隧道场效应晶体管
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量子隧道
晶体管
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Min-Chul Sun; Sang Wan Kim; Garam Kim; Hyunwoo Kim; Hyungjin Kim; et al 出版日期：2013-01-01 |
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