Radical etching with an aperture plate: correlating F atom density and highly selective etching of poly-Si and Si3N4over SiO2 in CF4/O2/He plasma

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标题	Radical etching with an aperture plate: correlating F atom density and highly selective etching of poly-Si and Si3N4over SiO2 in CF4/O2/He plasma
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6595/ae6a23
DOI	10.1088/1361-6595/ae6a23 doi
其它	期刊：Plasma Sources Science and Technology 作者：Yong Cao; Yuan Gao; Chaowei Yuan; Lijun Sang; Bowen Liu; Zhongwei Liu 出版日期：2026
求助人	cc 在 2026-06-20 13:28:32 发布自江苏，悬赏 10 积分
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