| 标题 |
 Time-multiplexed, inductively coupled plasma process with separate and steps for etching of GaAs with high selectivity 用于高选择性蚀刻GaAs的具有单独和步骤的时间复用、电感耦合等离子体工艺
相关领域
钝化
感应耦合等离子体
蚀刻（微加工）
材料科学
反应离子刻蚀
等离子体
选择性
干法蚀刻
光电子学
分析化学（期刊）
纳米技术
化学
催化作用
图层（电子）
物理
量子力学
色谱法
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
cat
Kao
Criminology34
aajhajkahna
Nole
张欢馨
GingerF
OK
dde
huanhuanhuan
ming2026
东方元语
小小牛马
sagitar
Nexus
渡人舟
大刘
松2026
yjh123
皖公网安备34019202002308
