β -Ga2O3 trench Schottky diodes by low-damage Ga-atomic beam etching

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标题	β -Ga2O3 trench Schottky diodes by low-damage Ga-atomic beam etching 相关领域沟槽材料科学蚀刻（微加工）光电子学肖特基二极管二极管介电强度镓击穿电压电介质肖特基势垒功勋干法蚀刻电压电气工程纳米技术工程类冶金图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0151808 AI链接 osti.govdoi.org
DOI	10.1063/5.0151808 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sushovan Dhara; Nidhin Kurian Kalarickal; Ashok Dheenan; Sheikh Ifatur Rahman; Chandan Joishi; et al 出版日期：2023-07-10
求助人	Phosphate 在 2026-01-09 22:13:51 发布自海南，悬赏 10 积分
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