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 Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification 适度掺杂接触层对微波整流用AlGaN/GaN栅阳极二极管击穿电压的影响
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Takayoshi Watanabe; H. Takahashi; Ryutaro Makisako; Akio Wakejima; Yuji Ando; et al 出版日期：2025-01-28 |
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(2025-6-4)
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