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标题
Impact of a Moderately Doped Contact Layer on Breakdown Voltage in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification
适度掺杂接触层对微波整流用AlGaN/GaN栅阳极二极管击穿电压的影响
相关领域
光电子学 整改 材料科学 阳极 兴奋剂 二极管 微波食品加热 击穿电压 宽禁带半导体 电压 图层（电子） 氮化镓 电极 电气工程 纳米技术 化学 计算机科学 电信 物理化学 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3530870
DOI
10.1109/ted.2025.3530870 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Takayoshi Watanabe; H. Takahashi; Ryutaro Makisako; Akio Wakejima; Yuji Ando; et al
出版日期：2025-01-28
求助人
快乐的小叮当 在 2025-12-03 22:37:31 发布自河南，悬赏 10 积分
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