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 Methodology for the investigation of threading dislocations as a source of vertical leakage in AlGaN/GaN-HEMT heterostructures for power devices 功率器件用AlGaN/GaN-HEMT异质结构中作为垂直泄漏源的螺纹位错的研究方法
相关领域
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高电子迁移率晶体管
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Sven Besendörfer; Elke Meißner; A. G. Lesnik; Jochen Friedrich; A. Dadgar; et al 出版日期：2019-03-06 |
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