Temperature and polarity dependence of the switching behavior of Ni/HfO2-based RRAM devices

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标题	Temperature and polarity dependence of the switching behavior of Ni/HfO2-based RRAM devices
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.038
DOI	10.1016/j.mee.2015.04.038 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：A. Rodrı́guez; Mireia Bargalló González; E. Miranda; F. Campabadal; J. Suñé 出版日期：2015-04-16
求助人	生动绫在 2026-08-31 10:17:10 发布自浙江，悬赏 10 积分
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