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 Carrier Dynamics of Abnormal Temperature-Dependent Emission Shift in Mocvd-Grown InGaN Epilayers and InGaN/GaN Quantum Wells Mocvd生长InGaN外延层和InGaN/GaN量子阱中异常温度相关发射位移的载流子动力学
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
光致发光
大气温度范围
化学气相沉积
光电子学
蓝移
量子阱
带隙
凝聚态物理
外延
纳米技术
光学
激光器
物理
气象学
图层（电子）
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期刊：MRS Proceedings 作者：Yong‐Hoon Cho; B. D. Little; G. H. Gainer; J. J. Song; S. Keller; et al 出版日期：1998-01-01 |
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