| 标题 |
 Improved characteristics of MOS interface between In0.53Ga0.47As and insulator by H2 annealing with Pt gate electrode Pt栅电极H2退火改善In0.53Ga 0.47 As与绝缘体MOS界面特性
相关领域
退火（玻璃）
材料科学
电极
光电子学
形成气体
绝缘体（电）
氧化物
晶体管
电容器
半导体
场效应晶体管
工作职能
金属
电气工程
冶金
电压
化学
工程类
物理化学
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Seong Kwang Kim; Dae‐Myeong Geum; Hyeongrak Lim; Han-Sung Kim; Jae‐Hoon Han; et al 出版日期：2019-09-30 |
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