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 Improved Electrical Properties of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by In Situ Tailoring the SiNx Passivation Layer 相关领域
钝化
材料科学
电子迁移率
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化学计量学
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高电子迁移率晶体管
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Anwar Siddique; Raju Ahmed; Jonathan Anderson; Mark Holtz; Edwin L. Piner 出版日期：2021-04-07 |
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