(Invited) Application of Selective Epitaxial Growth in the Sub 20 nm FinFET Device Fabrication

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标题	(Invited) Application of Selective Epitaxial Growth in the Sub 20 nm FinFET Device Fabrication
网址	http://dx.doi.org/10.1149/06001.0497ecst
DOI	10.1149/06001.0497ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Andriy Yakovitch Hikavyy; Erik Rosseel; Geert Eneman; Paola Favia; Roger Loo 出版日期：2014-02-27
求助人	善良高山在 2026-08-07 21:47:54 发布自北京，悬赏 10 积分
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