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标题
GaN MIS-HEMTs With Surface Reinforcement for Suppressed Hot-Electron-Induced Degradation
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DOI
10.1109/led.2021.3057933 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Song Yang; Zheyang Zheng; Li Zhang; Wenjie Song; K. J. Chen
出版日期:2021-04-01
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