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40 nm Gate Length AlGaN/GaN HEMT with Self-Aligned Sidewall Gate Structure |
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期刊:2025 18th IEEE United Conference on Millimeter Waves and Terahertz Technologies (UCMMT) 作者:Yang Xiao; Lihang Yin; Juan Xing; Zengyuan Wu; Heng Wang; et al 出版日期:2025-12-17 |
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(2025-6-4)