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标题
40 nm Gate Length AlGaN/GaN HEMT with Self-Aligned Sidewall Gate Structure
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DOI
10.1109/ucmmt67044.2025.11287831 doi
其它 期刊:2025 18th IEEE United Conference on Millimeter Waves and Terahertz Technologies (UCMMT)
作者:Yang Xiao; Lihang Yin; Juan Xing; Zengyuan Wu; Heng Wang; et al
出版日期:2025-12-17
求助人
zlren 在 2026-08-25 11:25:49 发布自中国台湾,悬赏 10 积分
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