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Structural and Electrical Demonstration of SiGe Cladded Channel for PMOS Stacked Nanosheet Gate-All-Around Devices |
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期刊:2020 IEEE Symposium on VLSI Technology 作者:S. Mochizuki; B. Colombeau; J. Zhang; S. C. Kung; M. Stolfi; et al 出版日期:2020-12-03 |
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