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 Study of Ferroelectric Stack Thickness and Annealing Sequence Effects on GaN HEMTs with Hybrid Ferroelectric Stacks Gate 相关领域
铁电性
材料科学
退火（玻璃）
光电子学
堆栈（抽象数据类型）
铁电电容器
电容器
电子工程
极化（电化学）
非易失性存储器
电压
磁滞
阈值电压
异质结
逻辑门
氮化镓
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Po-Chuan Liao; Hao-Wei Chang; Siddharth Rana; Chien-Nan Hsiao; Tae-Yeon Seong; et al 出版日期：2026-04-24 |
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