Chemical state analysis of heavily phosphorus-doped epitaxial silicon films grown on Si (1 0 0) by X-ray photoelectron spectroscopy

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标题	Chemical state analysis of heavily phosphorus-doped epitaxial silicon films grown on Si (1 0 0) by X-ray photoelectron spectroscopy
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.02.203
DOI	10.1016/j.apsusc.2018.02.203 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Minhyeong Lee; Sungtae Kim; Dae-Hong Ko 出版日期：2018
求助人	曾经的溪流在 2026-04-01 17:55:22 发布自福建，悬赏 10 积分
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