Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach

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标题	Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach 相关领域材料科学掺杂剂 Crystal（编程语言）增长率晶体缺陷晶体生长结晶学化学物理理论（学习稳定性）拉伤化学数学光电子学计算机科学几何学兴奋剂医学机器学习内科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.12.007
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2013.12.007 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：K.J. Kang; Tai-Hee Eun; Myong-Chul Jun; Byeong‐Joo Lee 出版日期：2013-12-14
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