Advanced Arsenic Doped Epitaxial Growth for Source Drain Extension Formation in Scaled FinFET Devices

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标题	Advanced Arsenic Doped Epitaxial Growth for Source Drain Extension Formation in Scaled FinFET Devices
网址	https://doi.org/10.1109/IEDM.2018.8614543
DOI	10.1109/IEDM.2018.8614543 doi
其它	期刊：2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. Mochizuki; B. Colombeau; L. Yu; A. Dube; S. Choi; et al 出版日期：2018
求助人	AARON 在 2026-04-27 13:45:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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