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ICP-CVD SiN Passivation for High-Power RF InAlGaN/GaN/SiC HEMT |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:R. Aubry; J. C. Jacquet; M. Oualli; O. Patard; S. Piotrowicz; et al 出版日期:2016-03-11 |
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