Low-Temperature Fabrication of Wafer-Bonded Ge/Si p-i-n Photodiodes by Layer Exfoliation and Nanosecond-Pulse Laser Annealing

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标题	Low-Temperature Fabrication of Wafer-Bonded Ge/Si p-i-n Photodiodes by Layer Exfoliation and Nanosecond-Pulse Laser Annealing
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/8649693/08626128.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2019.2893273 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：S. Ke; Yujie Ye; Jinyong Wu; Dongxue Liang; B. Cheng; et al 出版日期：2019-01-25
求助人	HOPKINSON 在 2026-07-22 18:03:42 发布自北京，悬赏 10 积分
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