A low gate leakage current and small equivalent oxide thickness MOSFET with Ti/HfO2 high-k gate dielectric

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标题	A low gate leakage current and small equivalent oxide thickness MOSFET with Ti/HfO2 high-k gate dielectric
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016793171...
DOI	10.1016/j.mee.2011.03.073 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：C.H. Fu; K.S. Chang-Liao; Y.A. Chang; Y.Y. Hsu; T.H. Tzeng; et al 出版日期：2011-04-15
求助人	111 在 2026-07-25 20:59:20 发布自陕西，悬赏 10 积分
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