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 Process stability and morphology optimization of very thick 4H–SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD 相关领域
外延
化学气相沉积
材料科学
碳化硅
形态学（生物学）
氯化物
碳化物
兴奋剂
硅
化学工程
沉积（地质）
光电子学
纳米技术
复合材料
图层（电子）
冶金
生物
工程类
古生物学
遗传学
沉积物
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Milan Yazdanfar; P. Stenberg; I. Booker; I. Ivanov; O. Kordina; et al 出版日期：2013-10-01 |
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