A polarization mismatched p-GaN/p-Al0.25Ga0.75N/p-GaN structure to improve the hole injection for GaN based micro-LED with secondary etched mesa

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标题	A polarization mismatched p-GaN/p-Al0.25Ga0.75N/p-GaN structure to improve the hole injection for GaN based micro-LED with secondary etched mesa
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-1056/ac9b35
DOI	10.1088/1674-1056/ac9b35 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Yidan Zhang; Chunshuang Chu; Sheng Hang; Yonghui Zhang; Quan Zheng; et al 出版日期：2022-10-19
求助人	RxX 在 2026-03-03 15:44:12 发布自山西，悬赏 10 积分
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