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 Modeling and Characterization of the Narrow-Width Effect of 4H-SiC MOSFETs With Local Oxidation of SiC Isolation SiC隔离局部氧化4H-SiC MOSFET窄宽度效应的模拟与表征
相关领域
材料科学
MOSFET
宽禁带半导体
表征（材料科学）
分离（微生物学）
碳化硅
光电子学
电子工程
电气工程
纳米技术
工程类
晶体管
复合材料
电压
微生物学
生物
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hao-Chung Kuo; Bing‐Yue Tsui; Chun-Pin Shih; Te-Kai Tsai 出版日期：2022-08-29 |
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