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标题
Modeling and Characterization of the Narrow-Width Effect of 4H-SiC MOSFETs With Local Oxidation of SiC Isolation
SiC隔离局部氧化4H-SiC MOSFET窄宽度效应的模拟与表征
相关领域
材料科学 MOSFET 宽禁带半导体 表征（材料科学） 分离（微生物学） 碳化硅 光电子学 电子工程 电气工程 纳米技术 工程类 晶体管 复合材料 电压 生物 微生物学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3200936
DOI
10.1109/ted.2022.3200936 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Hao-Chung Kuo; Bing‐Yue Tsui; Chun-Pin Shih; Te-Kai Tsai
出版日期：2022-08-29
求助人
anti-pua 在 2025-12-06 16:04:34 发布自河北，悬赏 10 积分
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