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Assessment of T-Gate and Π-Gate HEMT Through Cellular Monte Carlo Simulations 通过细胞蒙特卡罗模拟评估T门和Π门HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
物理
算法
数学
量子力学
晶体管
电压
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Joy Acharjee; Ramji Singh; Ky Merill; Stephen M. Goodnick; Marco Saraniti 出版日期:2023-10-17 |
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