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标题
Transferable Thru-Hole Epitaxy of GaN and ZnO, Respectively, Over Graphene and MoS2 as a 2D Space Layer
作为二维空间层的GaN和ZnO分别在石墨烯和MoS2上的可转移通孔外延
相关领域
材料科学 制作 外延 蓝宝石 基质（水族馆） 光电子学 图层（电子） 纳米技术 石墨烯 模板 化学气相沉积 分子束外延 微观结构 激光器 复合材料 光学 医学 病理 地质学 海洋学 替代医学 物理
网址
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.2c00660
DOI
10.1021/acs.cgd.2c00660 doi
其它 期刊：Crystal Growth & Design
作者：Hyunkyu Lee; Minjoo Kim; Dongsoo Jang; Suhee Jang; Won Il Park; et al
出版日期：2022-11-07
求助人
清秀玉兰 在 2025-12-06 14:44:37 发布自广东，悬赏 10 积分
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