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 Stacked nanosheet gate-all-around transistor to enable scaling beyond FinFET 堆叠式纳米片栅极全能晶体管可实现超越FinFET的扩展
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期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：N. Loubet; Terence B. Hook; P. Montanini; Chun Wing Yeung; S. Kanakasabapathy; et al 出版日期：2017-06-01 |
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