Gate-Dielectric Engineering with an Ultrathin Silicon Oxide Interfacial Dipole Layer for Low-Leakage Oxide-Semiconductor Memories

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标题	Gate-Dielectric Engineering with an Ultrathin Silicon Oxide Interfacial Dipole Layer for Low-Leakage Oxide-Semiconductor Memories
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c05167
DOI	10.1021/acs.nanolett.5c05167 doi
其它	期刊：Nano Lett 作者：Athena FF, Hartanto J, Passlack M, Evans JC, Qin J, Dede D, Jana K, Liu S, Peña T, Pop E, Pitner G, Radu IP, McIntyre PC, Wong HP 出版日期：2026-02-23
求助人	冷静明辉在 2026-09-28 16:37:11 发布自北京，悬赏 10 积分
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