| 标题 |
  Reduced Etch Lag and High Aspect Ratios by Deep Reactive Ion Etching (DRIE) 相关领域
深反应离子刻蚀
反应离子刻蚀
蚀刻（微加工）
材料科学
纵横比（航空）
制作
微电子机械系统
硅
光电子学
干法蚀刻
黑硅
纳米技术
滞后
离子
过程（计算）
活性材料
咬边
氧化物
表面微加工
氧化硅
各向同性腐蚀
微流控
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：M. Gerlt; Nino F. Läubli; Michel Manser; Bradley J. Nelson; J. Dual 出版日期：2021-04-06 |
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