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标题
Temperature Dependent Growth of Ytterbium Oxide as Gate Dielectric on Silicon Substrate Via Combination of Nitrogen and Oxygen Ambient
氮气和氧气环境下氧化镱作为栅介质在硅衬底上的温度相关生长
相关领域
材料科学 镱 基质（水族馆） 硅 氧气 电介质 氮气 氧化物 氧化硅 栅极电介质 等效氧化层厚度 栅氧化层 光电子学 化学工程 无机化学 冶金 电气工程 兴奋剂 有机化学 化学 氮化硅 晶体管 海洋学 工程类 电压 地质学
网址
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.11.124
DOI
10.1016/j.ceramint.2024.11.124 doi
其它 期刊：Ceramics International
作者：Abdallah Aldayyat; F.K. Yam; Mustafa S. Elhassan; F.K. Yam
出版日期：2024-11-01
求助人
torjain 在 2025-08-04 21:30:42 发布，悬赏 10 积分
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