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 Electrostatic Engineering of β-Ga2O3 Trench Metal–Insulator–Semiconductor Schottky Barrier Diodes Using a Bilayer Dielectric Stack 使用双层介质堆叠的β-Ga2O3沟槽金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管的静电工程
相关领域
电介质
双层
二极管
材料科学
肖特基势垒
绝缘体（电）
光电子学
肖特基二极管
介电强度
化学
生物化学
膜
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ravikiran Lengare; Chandan Joishi; Saurabh Lodha 出版日期：2022-08-24 |
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