| 标题 |
Hot-carrier-induced device degradation in Schottky barrier ambipolar polysilicon transistor 相关领域
双极扩散
材料科学
肖特基势垒
光电子学
肖特基二极管
晶体管
降级(电信)
栅氧化层
MOSFET
场效应晶体管
压力(语言学)
电极
电气工程
二极管
化学
电压
等离子体
物理
量子力学
工程类
语言学
哲学
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Solid-State Electronics 作者:Dae Cheon Kim; Dong Uk Kim; Ah Reum Lee; Man-Ho Cho; Won-Ju Cho; et al 出版日期:2021-07-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)