Atomic-scale composition profiles of MOCVD-grown InGaN/GaN quantum wells: modeling and characterization

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标题	Atomic-scale composition profiles of MOCVD-grown InGaN/GaN quantum wells: modeling and characterization MOCVD生长InGaN/GaN量子阱的原子尺度成分分布：模拟与表征
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	A. Segal, E. Yakovlev, S. Karpov, M. Korytov, N. Cherkashin, J. Bassen, H.-J. Lugauer, and H. Laux,presented at IWN-2014, August 24-29, Wroclaw, Poland (2014).
求助人	椰子在 2025-09-02 16:13:18 发布自江苏，悬赏 20 积分
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