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Atomic-scale composition profiles of MOCVD-grown InGaN/GaN quantum wells: modeling and characterization
MOCVD生长InGaN/GaN量子阱的原子尺度成分分布：模拟与表征
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| 其它 | A. Segal, E. Yakovlev, S. Karpov, M. Korytov, N. Cherkashin, J. Bassen, H.-J. Lugauer, and H. Laux,presented at IWN-2014, August 24-29, Wroclaw, Poland (2014). |
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