A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM

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标题	A Read Margin Enhancement Circuit With Dynamic Bias Optimization for MRAM 相关领域磁阻随机存取存储器计算机科学边距（机器学习）可靠性（半导体）偏压电压工艺变化过程（计算）电子工程电气工程随机存取存储器计算机硬件功率（物理）工程类物理操作系统机器学习量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/tcsii.2024.3367988
DOI	10.1109/tcsii.2024.3367988 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Circuits & Systems II Express Briefs 作者：Renhe Chen; Albert Lee; Zirui Wang; Di Wu; Xufeng Kou 出版日期：2024-02-20
求助人	zzz 在 2026-01-12 09:06:54 发布自天津，悬赏 10 积分
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