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标题
Analysis of Displacement Damage Induced by Silicon-Ion Irradiation in SiC MOSFETs
SiC MOSFET中硅离子辐照引起的位移损伤分析
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材料科学 MOSFET 硅 碳化硅 辐照 光电子学 流离失所（心理学） 重离子 辐射损伤 离子 电气工程 电子工程 物理 电压 工程类 晶体管 核物理学 复合材料 心理治疗师 量子力学 心理学
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2024.3408466
DOI
10.1109/tns.2024.3408466 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Lei Wu; Shangli Dong; Fengkai Liu; Zhongli Liu; Yadong Wei; et al
出版日期：2024-06-03
求助人
华仔 在 2025-12-06 15:09:58 发布自广东，悬赏 10 积分
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